Un transistor a giunzione bipolare (BJT) è un dispositivo a semiconduttore a tre-terminali costituito da due giunzioni PN formate dalle regioni di emettitore, base e collettore. In base alla disposizione della giunzione PN, è classificato nei tipi NPN e PNP. Inventato il 23 dicembre 1947 dai Drs. Bardeen, Brighton e Shockley dei Bell Labs, il suo principio fondamentale è ottenere l'amplificazione controllando una variazione maggiore nella corrente del collettore attraverso una piccola variazione nella corrente di base. La concentrazione interna del drogante varia in modo significativo: la regione dell'emettitore è altamente drogata, la regione della base è la più sottile e meno drogata e la regione del collettore è la più grande e moderatamente drogata.
I BJT operano in tre modalità: cutoff, amplificazione e saturazione. I parametri chiave includono il fattore di amplificazione della corrente (hFE), la frequenza caratteristica fT e la tensione di rottura del collettore-emettitore BUCEO. I BJT moderni sono per lo più realizzati in silicio e la corrente del collettore viene modificata controllando la tensione dell'emettitore di base- per alterare la diffusione del portatore nella giunzione dell'emettitore. Come componente fondamentale dei circuiti elettronici, i transistor possiedono funzioni di amplificazione del segnale e di commutazione elettronica. Possono essere utilizzati per costruire amplificatori per pilotare altoparlanti e motori o come elementi di commutazione in circuiti digitali e controllo logico. Le applicazioni tipiche includono amplificazione di potenza a bassa-frequenza/alta-frequenza e progetti di transistor compositi.
