Definizione base di transistor

Jan 06, 2026

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In cinese, "triodo" [1] (chiamato anche transistor) è semplicemente un termine generale per amplificare dispositivi con tre pin. Il termine "triodo" comunemente usato può riferirsi a diversi dispositivi diversi.

 

Come puoi vedere, sebbene siano tutti chiamati "triodo", i termini inglesi sono abbastanza diversi. La parola "triodo" è in realtà un termine pittografico unicamente cinese.

 

"Triodo" è l'unica traduzione inglese di "triodo" nel dizionario inglese-cinese. Questo è legato all'aspetto iniziale del triodo elettronico e rappresenta l'oggetto originale a cui fa riferimento la parola "triodo". Altri dispositivi chiamati "triodo" in cinese non dovrebbero essere tradotti come "triodo" nella traduzione effettiva. Triodo (un tipo di tubo a vuoto)
Transistor a giunzione bipolare (BJT)


Cancello di giunzione FET (transistor ad effetto di campo)


Transistor a effetto di campo a semiconduttore-ossido-di metallo (MOS FET)


Transistor a effetto di campo (VMOS) con scanalatura a V-

 

Nota: sebbene tutti e tre sembrino transistor a effetto di campo, i MOS FET e i transistor a effetto di campo con scanalatura a V- sono strutture unipolari, in contrasto con i transistor bipolari. Pertanto, possono anche essere definiti collettivamente transistor a giunzione unipolare (JJT).

 

I JJT sono transistor a effetto di campo non- isolati, mentre i MOS FET e i VMOS FET sono transistor a effetto di campo isolanti.

 

VMOS è un nuovo tipo di transistor di potenza ad alta-corrente e alto-guadagno (incrociato-canali) migliorato rispetto al MOS. La differenza sta nell'uso di una scanalatura a V-, che aumenta significativamente il fattore di amplificazione e la corrente operativa del transistor MOS. Tuttavia, aumenta anche significativamente la capacità di ingresso del MOS. Si tratta di una versione migliorata ad alta-potenza del transistor MOS, ma la sua struttura differisce notevolmente dal MOS tradizionale. VMOS dispone solo di transistor MOS in modalità-di miglioramento e non ha i transistor MOS in modalità-di svuotamento tipici dei transistor MOS tradizionali.

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